三星的新款8Gb OneNAND芯片基于SLC NAND闪存技术，读取速度最高可达 70MB/s，是传统NAND闪存(17MB/s)的四倍还多，并且采用低电压设计，因而功耗更 低，非常适合随着触摸屏和其他高分辨率智能手机应用而带来的大容量数据存储需求。
此外，三星还将生产工艺改进到了30mm级别，生产效率比此前的40nm级别(40-49nm)提高了40％。
三星现已开始出货3xnm 8Gb OneNAND芯片的样品，并计划本月底开始批量生产。
文/驱动之家
三星的新款8Gb OneNAND芯片基于SLC NAND闪存技术，读取速度最高可达 70MB/s，是传统NAND闪存(17MB/s)的四倍还多，并且采用低电压设计，因而功耗更 低，非常适合随着触摸屏和其他高分辨率智能手机应用而带来的大容量数据存储需求。
此外，三星还将生产工艺改进到了30mm级别，生产效率比此前的40nm级别(40-49nm)提高了40％。
三星现已开始出货3xnm 8Gb OneNAND芯片的样品，并计划本月底开始批量生产。
文/驱动之家