据EE Times网站报道，日立公司将在下周于火奴鲁鲁召开的VLSI技术年会上介绍更多自旋转移矩随机内存（Spin transfer torque random access memory (STT-RAM)）技术，另外据称日立公司正在考虑将负责开发这项技术的部门从公司中分拆出去成立一家新公司。 SPRAM是下一代MRAM内存技术的一种，MRAM技术的特点是利用电子自旋的磁效应来实现非易失型数据存储，这种技术制作出来存储芯片据称耐久性极佳，不过目前MRAM内存制造难度极大，很难批量生产。

日立公司开发的这种自旋转移矩随机内存（Spin transfer torque random access memory (STT-RAM)）可算是第二代的MRAM技术，这种技术据称采用了新的内部结构，从而解决了传统MRAM设备所存在的问题。目前正在研究这项技术的厂商还有台积电，三星，海力士，IBM-TDK，东芝等多家厂商。

CNBeta编译
原文：dvhardware