和之前的产品一样，三星新品512GB固态硬盘中的闪存、控制器以及固件研发都由三星自行完成。它搭载了30nm级工艺32Gbit异步DDR NAND闪存颗粒，以及专为此类闪存设计的低功耗控制器，支持256bit AES加密，支持TRIM。采用SATA 3.0Gbps接口，连续读取速度250MB/s，写入速度220MB/s。不过，三星并未透露其随机读写性能，仅笼统的表示比传统硬盘“快9倍”。
三星表示，采用异步DDR NAND闪存的512GB容量固态硬盘将于7月份实现量产。
和之前的产品一样，三星新品512GB固态硬盘中的闪存、控制器以及固件研发都由三星自行完成。它搭载了30nm级工艺32Gbit异步DDR NAND闪存颗粒，以及专为此类闪存设计的低功耗控制器，支持256bit AES加密，支持TRIM。采用SATA 3.0Gbps接口，连续读取速度250MB/s，写入速度220MB/s。不过，三星并未透露其随机读写性能，仅笼统的表示比传统硬盘“快9倍”。
三星表示，采用异步DDR NAND闪存的512GB容量固态硬盘将于7月份实现量产。