SRAM和eSRAM是目前最常用的两种嵌入式内存，其中前者有六个晶体管，体积较大，但速度非常快，制造难度也很低，而后者每个单元只有一个晶体 管和电容器，体积小了，速度却也慢了，制造也很困难。FBC就是集这两种技术之长于一身，每单元仅有一个晶体管，比SRAM轻巧很多，同 时速度又比eSRAM更快，制造也相对简单。
据了解，Intel已经成功制造了22nm新工艺FBC存储器，而且使用的是非常适合大批量生产的Bulk晶圆，相比此前试验使用 的SOI晶圆在成本上低廉很多。
另一份论文中，Intel还描述了如何在一个FBC存储器的后栅(back gate)中选择性地掺入杂质而不影响设备的其他部分，从元件尺寸看难度相当大。
除了Intel，伯克利和东芝也都在致力于FBC技术的研究，但实现方法和Intel有些不同。
文/驱动之家