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三星宣布开始量产30nm制程2Gb密度DDR3内存芯片
发布日期:2010-07-21 18:31:27
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今年早些时候,三星公司曾宣布完成了30nm制程2Gb密度DDR3内存芯片的开发工作,而
最近他们则宣布这款芯片产品已经进入批量生产阶段。这款 30nm制程DDR3芯片可以在1.35V电压条件下工作在1866MHz数据传输率下,加压到1.5V之后数据传输率则可提升至2133MHz,适用于 台式机,笔记本,服务器,上网本,移动设备的各种应用。
三星表示目前他们正在开发4Gb密度的30nm制程DDR3内存芯片产品,预计这款产品今年才会投入使用。
CNBeta编译
原文:
tcmagazine
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