闪存业两大巨头三星公司与东芝公司近日宣布将支持并参与第二代DDR NAND闪存标准规范的制订工作，这种新一代闪存标准规范的接口数据传输率将高达400Mbit/s。不过两家公司并没有透露他们什么时候会完成该标准规 范的制定工作，另外也没有说明新一代闪存规范使用的闪存芯片存储密度参数。DDR2.0 NAND闪存推出后将主要面向移动和消费级电子类应用。现有的DDR1.0版本NAND闪存接口规范只是将DDR数据传输接口与传统的单倍数据传输率NAND单元结合在一起使用，接口数据传输率仅133Mbit/s；而DDR2.0规范则会将接口数据传输率提升到400Mbit/s的水平，而眼下市面上常见的NAND芯片采用的多为SDR NAND接口规范，其数据传输率仅40Mbit/s。
上个月，两家公司便已经参与到了由JEDEC固态技术协会牵头的DDR2.0 NAND接口标准化工作中去。
CNBeta编译
原文：eetimes