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Hynix公司宣称已开始量产20nm制程级别64Gb存储密度NAND闪存
发布日期:2010-08-09 18:24:38  稿源:
南韩内存厂商Hynix公司日前宣布已开始量产20nm制程级别64Gb NAND闪存芯片,这款芯片是在公司位于Cheong-ju的300mm M11工厂生产的。Hynix公司表示,升级为2xnm制程节点后,芯片的生产率相比3xnm制程提升了60%,芯片的成本也有所降低,智能手机,SSD 硬盘等的NAND闪存容量则将大有增长。





Hynix Cheong-ju M11工厂

Hynix公司称首款基于2xnm制程的NAND闪存芯片产品将于今年年底上市销售。Hynix公司虽然不是IBM FishKill半导体技术联盟(主要包括IBM,三星,特许(已被GF收购),GF,意法半导体,飞思卡尔,东芝,英飞凌,NEC等)的成员,但这家公司与该联盟成员之一的意法半导体公司有合作关系。

CNBeta编译
原文:
tcmagazine
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