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惠普宣布与海力士合作开发新型内存
发布日期:2010-09-01 07:37:16  稿源:
惠普周二宣布与韩国海力士半导体(Hynix Semiconductor)达成合作协议,共同研发下一代内存技术电阻式内存并将其推向市场。
据一份声明显示,两家公司将合作开发新型材料和技术,实现电阻式内存(ReRAM)技术的商业化。
海力士将会采用由惠普实验室研发出的新型元件忆阻器 (memristor)。忆阻器相比现有的固态存储技术能耗更低,速度更快,而且能在断电时存储数据。惠普今年春季称表示,忆阻器也能够执行逻辑。
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ReRAM技术的初衷是成为低功耗Flash的替代品。ReRAM还可以模拟Flah、DRAM甚至硬盘。总之,ReRAM可以成为通用存储管道。

惠普表示,忆阻器能够在断电的状态下存储信息,而且能耗极低。这就意味着笔记本电脑运行速度可以更快,一次充电使用时间更长。考虑到如今智能手机应用的繁多,这一技术也将大大延长智能手机的使用时间。

在未来,由于计算和存储功能能够在同一个芯片上实现,笔记本电脑和手机将会变得轻薄得多,而且比现在运行快得多。
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