据iSuppli市调公司发布的调查报告显示，内存业界生产DRAM芯片的平均制造成本出现了四年以来的首次正增长，不过据iSuppli公司分析，芯片 制造成本正增长的局面有望在数个季度之内有所缓解。根据统计数据显示，今年第二季度内存芯片的制造成本从上一季度的2美元/GB提升到了2.03美元 /GB，尽管提升的幅度仅有1.2%，但这是四年以来的首次成本正增长，相比之下，2005年至今的制造成本提升幅度则平均仅-9.2%。 据分析，造成内存芯片制造成本攀升的原因主要是芯片制造的复杂度和技术要求越来越高，厂商从传统的干式光刻转换到相对较为先进的沉浸式光刻还需要一段适应时间。更具体地说，iSuppli的高级分析师Mike Howard则认为，造成本季度内存芯片制造成本上升的主要是两家大厂：日本的尔必达（成本上升4%）以及台湾的南亚公司（成本上升11%）。其中南亚公司成本上升的主要原因是正在从继承自奇梦达公司的深沟电容工艺转换为堆叠电容工艺，因此在良率和成本方面会受到比较大的影响，而未来几个季度内随着制程良率的进一步提升，其成本水平会逐渐恢复正常水准。

而尔必达的成本提升则主要是由于公司正在进行成本结构的转换，为了提高自己有限的产能，他们最近刚刚开始将一部分产品外包给其它的厂商制作，因此造成采购成本的提升。而公司成本结构的转换稳定之后，成本水平亦会恢复正常水平。

附：深沟电容工艺与堆叠电容工艺的区别

深沟电容工艺与堆叠电容工艺是制作内存用MOS电容单元的两种工艺流派。前者的电容位置在控制晶体管之下的单晶硅基体中，而后者的电容位置则在控制晶体管之上的非晶氧化层中。两者的对比如下图所示：


英飞凌（以及后来的奇梦达），南亚，华邦，华亚等曾是深沟电容工艺的支持者；而三星，尔必达，镁光等公司则走的是堆叠电容工艺的路子。

CNBeta编译
原文：electroiq