TechPowerUp 报道称：在 3 月 21 - 24 日举办的英伟达 GPU 技术大会上，SK 海力士介绍了该公司最新研发的 HBM3 高带宽显存。作为 SK 海力士的第四代 HBM 产品，其在每个堆栈上使用了超过 8000 个硅通孔（TSV）。算上从 HBM2E 时代的 8-Hi 提升到 HBM3 的 12-Hi 堆栈，TSV 总数就超过了 10 万的级别。

视频截图（来自：SK Hynix）

在“完全堆叠”状态下，HBM3 高带宽显存可轻松达成 24GB 的容量，辅以较 HBM2E 翻倍的 16 通道架构 @ 6.4 Gbps 频率。

作为目前业内最为领先的高带宽显存产品，其有望进一步加速我们的数字生活体验 —— 比如近年来大热的 L4 / L5 级别的自动驾驶汽车系统。

此外随着数字化加速推动高性能计算（HPC）、人工智能（AI）、机器学习（ML）、以及高级驾驶辅助系统（ADAS）市场的增长，HBM3 有望在这一转型过程中发挥更大的作用。

显然，HBM3 不仅是一款高性能产品，还有望化解全球数据中心面临的共同问题 —— 目前服务器内存的功耗开销，约占总体的 20% 左右。预计到 2025 年，还可进一步上升至 35% 。

若顺利向 HBM3 转型，预计我们可到 2030 年将温室气体排放减少约 83 万吨。与此同时，SK Hynix 推出了 Memory Forest 。

作为该公司的最新举措之一，其展示了 SK 海力士致力于保护环境、创建可持续和创新的内存生态系统的承诺的决心。