三星指出，TSV是解决服务器既需要更大内存容量、更高性能，又注重更低性能这一矛盾问题的最佳途径。它主要是在硅基片上穿出微米级别直径的垂直孔 洞，然后以铜材料填充，将更多芯片立体式地堆叠在一起，而不像传统方法那样通过细线进行水平连接。这种技术的最大好处就是信号线长度大幅缩短，总体性能并 不会比单层颗粒弱。三星正计划在各种服务器领域推广这一新技术，并准备将生产工艺从现在的40nm级别推向30nm级别。
三星还预计，3D TSV技术有望在2012年全面普及。
三星指出，TSV是解决服务器既需要更大内存容量、更高性能，又注重更低性能这一矛盾问题的最佳途径。它主要是在硅基片上穿出微米级别直径的垂直孔 洞，然后以铜材料填充，将更多芯片立体式地堆叠在一起，而不像传统方法那样通过细线进行水平连接。这种技术的最大好处就是信号线长度大幅缩短，总体性能并 不会比单层颗粒弱。三星正计划在各种服务器领域推广这一新技术，并准备将生产工艺从现在的40nm级别推向30nm级别。
三星还预计，3D TSV技术有望在2012年全面普及。