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日研发超薄省电TFT制法
发布日期:2010-12-13 15:32:38  稿源：
日本大阪大学产业科学研究所研究小组近日宣布研发了将硅酮浸泡到高浓度硝酸以制作在手机及液晶电视显示器等产品上使用的薄膜晶体管(TFT)的方法。
据了解，新制法可以将薄膜厚度减为原来的1/5～1/10，所需电力大幅降低到原来的1/144，同时实现微型化，可以制作是原来大小1/4的产品。
该研究小组表示，新的“硝酸酸化法”通过将玻璃主板上的硅酮浸泡在120度、浓度为68%的硝酸中，直接将硅酮氧化为薄膜。此法可以制成均匀且高密度的薄膜，最薄可达10纳米。
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