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尔必达宣布明年一季度量产新30nm 4GB内存条产品
发布日期:2010-12-21 23:31:53  稿源:
日本尔必达公司近日透露称其计划将新开发完成的4GB DDR3内存模组产品于明年第一季度投入量产,这种内存模组由16片30nm制程2Gb密度的DDR3内存芯片组成.同时这款产品的样品已经开始对外销售。
尔必达称这款新内存模组的工作电流比旧款40nm制程的产品低20%,待机状态耗电量则降低30%.非常适合对电池续航能力较为敏感的笔记本,上网本,平板电脑及手持电子设备使用。

尔必达还称新款4GB内存模组的数据传输率高达1866Mbps,因此同样适合高性能机型选用。

CNBeta编译
原文:
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