根据此前的规划，DDR4内存频率最高有可能高达4266MHz，电压则有可能降至1.1V乃至1.05V。

三星表示，这条DDR4内存使用了曾出现在高端显存颗粒上的“Pseudo Open Drain”(虚拟开漏极)技术，在读取、写入数据的时候漏电率只有DDR3内存的一半。

三星称，上月底已经向一家控制器制造商提供了这种DDR4内存条的样品进行测试，并计划与多家内存厂商密切合作，帮助JEDEC组织在今年下半年完成DDR4标准规范的制定工作，预计2012年开始投入商用。

回顾历史，三星曾于1997年、2001年、2005年三次分别率先造出第一条DDR、DDR2、DDR3内存条，如今又在DDR4上继续保持了领先地位。

编译/驱动之家