Gate-Last(后栅极)、Gate-First(前栅极)是实现HKMG结构晶体管的两大技术流派，区别主要在于硅片漏/源区离子注入操作、 高温退火和形成金属栅极的先后。Intel从45nm工艺开始就坚持使用Gate-Last，台积电也决定从28nm开始引入。IBM联盟方面之前一直支 持Gate-First，包括32/28nm工艺，现在看来20nm将成为其第一个拐点。
IBM没有透露这种晶圆会用于制造何种产品，但既然是低功耗版本，应该不会用在CPU、GPU等高性能芯片上。
晶圆整体
晶圆局部
文/驱动之家