三星电子今天宣布开发出采用业界首个12纳米（nm）级工艺技术的16Gb DDR5 DRAM，并完成了与AMD兼容的产品评估。这一技术飞跃是通过使用增加单元电容的新型高κ材料，以及改善关键电路特性的专有设计技术实现的。结合先进的多层极紫外光（EUV）光刻技术，新的DRAM具有业界最高的芯片密度，从而使晶圆生产力提高了20%。

利用最新的DDR5标准，三星的12纳米级DRAM将有助于释放每秒7.2Gbps的速度。这相当于在一秒钟内处理两部30GB的UHD电影。

与新DRAM的速度相匹配的是更高的电源效率，与之前的DRAM相比，12纳米级DRAM的功耗降低了23%。

三星电子DRAM产品和技术执行副总裁Jooyoung Lee对此表示："12纳米级DRAM将成为推动DDR5 DRAM在市场上广泛采用的关键因素。凭借卓越的性能和电源效率，预计我们的新DRAM将成为下一代计算、数据中心和人工智能驱动系统等领域更可持续的运营基础。"

"创新往往需要与行业伙伴密切合作，以推动技术的发展，"AMD高级副总裁、企业研究员和客户、计算和图形首席技术官Joe Macri说。"我们很高兴能再次与三星合作，特别是在推出在"Zen"平台上优化和验证的DDR5内存产品方面。"

随着2023年开始量产，三星计划将基于这种尖端的12纳米级工艺技术的DRAM阵容扩大到广泛的细分市场。