SK Hynix代表在ISSCC 2023会议上公布了该公司在3D NAND开发方面的最新突破。一个具有300多层的新闪存原型的细节被披露，该公司表示，一个由35名工程师组成的团队为演示材料做出了贡献。

为了强调该原型的改进所带来的性能提升，该原型与SK海力士之前保持纪录的第七代238层3D NAND进行了比较。新的第八代3D NAND公布的带宽数据最大为194 MB/s，与旧型号的164 MB/s形成鲜明对比，意味着性能增加了18%。

记录密度也得益于300多个活性层的设计，SK海力士提到了1TB（128GB）的容量，三层单元和超过20GB/mm^2的位密度。该芯片具有16KB页面大小，四个平面和2400MT/s接口。密度的增加将让制造过程中每TB成本的降低，希望最终消费者能从性能和容量的提升中受益。

第八代3D NAND的五个技术实现领域已被确定：

三重验证程序（TPGM）功能，缩小了单元的阈值电压分布，并将tPROG（编程时间）减少了10%，这将转化为更高的性能。

自适应非选择字符串预充电（AUSP）--另一个程序可将tPROG降低约2%。

全通道上升（APR）方案，将tR（读取时间）减少约2%，并削减字行上升时间

编程假字符串（PDS）技术，通过减少通道电容负载来减少世界线的tPROG和tR稳定时间

平面读取重试（PLRR）功能，允许在不终止其他平面的情况下改变其读取水平，从而立即发出后续的读取命令，提高服务质量（QoS），从而提高读取性能。

SK Hynix的代表没有为其尖端的3D NAND的生产和最终推出日期提供任何确定的时间框架。行业观察人士估计，这种内存要到2024年很晚的时候才会上架，或者在2025年的某个时候。与此同时，SK海力士的第七代238层3D NAND预计将被整合到2023年发布的新内存产品的生产周期中。