三星发布了全球首款基于 12 纳米制程技术的 32 Gb DDR5 DRAM 解决方案，可支持高达 128 GB 的内存模块。迄今为止，SK hynix 和美光等内存制造商提供了 24 Gb 的 DDR5 DRAM，可实现 96 GB 的内存解决方案，而三星则更上一层楼，推出了基于 12nm 节点、密度高出 33.3% 的 32 Gb 解决方案。与此同时，美光也确认了 32Gb DDR5 DRAM，但迄今为止只是通过其路线图公布。

三星电子今天宣布，该公司采用 12 纳米 (nm) 级工艺技术，开发出业界首款容量最高的 32 千兆位 (Gb) DDR5 DRAM。此前，三星已于 2023 年 5 月开始量产其 12 纳米级 16Gb DDR5 DRAM。它巩固了三星在下一代 DRAM 技术领域的领先地位，并预示着大容量内存产品阵容将翻开新的篇章。

三星电子 DRAM 产品与技术执行副总裁 SangJoon Hwang 表示："凭借我们的 12nm 级 32Gb DRAM，我们已经获得了可实现高达 1 TB 的 DRAM 模块的解决方案，使我们能够在人工智能（AI）和大数据时代满足对大容量 DRAM 不断增长的需求。我们将继续通过差异化的工艺和设计技术开发 DRAM 解决方案，打破内存技术的界限。"

自 1983 年开发出第一款 64 千位（Kb）DRAM 以来，三星在过去 40 年间成功地将 DRAM 容量提高了 50 万倍。

三星最新开发的内存产品采用尖端工艺和技术，提高了集成密度并优化了设计，拥有业界最高的单个 DRAM 芯片容量，在相同封装尺寸下，其容量是 16Gb DDR5 DRAM 的两倍。

以前，使用 16Gb DRAM 制造的 DDR5 128GB DRAM 模块需要采用硅通孔 (TSV) 工艺。然而，通过使用三星的 32Gb DRAM，现在可以在不使用 TSV 工艺的情况下生产 128GB 模块，与使用 16Gb DRAM 的 128GB 模块相比，功耗降低了约 10%。这一技术突破使该产品可以成为数据中心等注重能效的企业的解决方案。

以 12nm 级 32Gb DDR5 DRAM 为基础，三星计划继续扩大其大容量 DRAM 产品线，通过向数据中心以及需要人工智能和下一代计算等应用的客户供应 12 纳米级 32Gb DRAM，该产品还将在三星与其他关键行业参与者的持续合作中发挥作用。

全新 12nm 级 32Gb DDR5 DRAM 计划于今年年底开始量产。