ASML透露，该公司将在今年年底前交付业界首台高NA极紫外（EUV）光刻扫描仪，这对下一代EUV光刻机的开发是一个充满希望的信号。这台机器是 0.55 数值孔径 (NA) Twinscan EXE:5000 试验扫描仪，是为芯片制造商开发的，以便他们学习如何高效地使用高 NA 极紫外光刻技术。

在这些研发工作之后，预计将于 2025 年开始大批量生产使用高 NA 扫描仪的芯片，届时 ASML 将开始交付商业级 Twinscan EXE:5200 扫描仪。

ASML 首席执行官 Peter Wennink 在接受路透社简短采访时说："一些供应商在实际量产和向我们提供适当水平的技术质量方面遇到了一些困难，因此导致了一些延迟。但事实上，首批产品仍将在今年出货。"

目前，各种晶圆厂中最先进的 EUV 扫描仪是 ASML 的 Twinscan NXE:3400C 和 NXE:3400D。这些扫描仪配备 0.33 数值孔径 (NA) 光学镜片，分辨率为 13 纳米。这样的分辨率适合在金属间距介于 30 纳米和 38 纳米之间的制造技术上打印芯片。然而，当金属间距降至 30 纳米以下（节点超过 5 纳米）时，13 纳米的分辨率就不够用了，芯片制造商将不得不使用 EUV 双图案化和/或图案成型技术。考虑到 EUV 双图案化既昂贵又充满风险，业界正在开发 NA 值为 0.55 的 High-NA EUV 扫描仪，以实现 8 纳米分辨率，用于本十年后半期的制造技术。

ASML 的高 NA 扫描仪将再次改变半导体工厂的配置，因为它们不仅采用了新的光学技术，还需要新的更大的光源，这就需要新的工厂结构，从而导致大量投资。尽管 ASML 的高 NA 值扫描仪预计本身也将是一项重大投资，有各种报道指出，每台扫描仪的投资将从 0.33 NA EUV 扫描仪的 2 亿多美元增加到 3-4 亿美元。

英特尔原本计划在其 18A（1.8 纳米）生产节点上使用 ASML 的 High-NA 工具，该节点定于 2025 年进行大批量生产，与 ASML 预计交付 Twinscan EXE:5200 的时间相吻合。然而，英特尔后来将其 18A 生产的开始时间推迟到了 2024 年下半年，显然是选择使用 ASML 的 Twinscan NXE:3600D/3800E 的两次曝光，以及应用材料公司的 Endura Sculpta 图案成型系统，以减少 EUV 双图案化的使用。

英特尔预计将成为 ASML High-NA 扫描仪的首批客户，因此当英特尔在今年晚些时候收到该设备时，其开发人员和工程师将能够根据即将推出的生产工具调整英特尔的工艺技术。考虑到这些工具与英特尔自己的工艺节点计划之间的时间差，他们将如何以及何时将这些工具集成到自己的工艺中目前还是个未知数。由于 18A 预计将是一个长期节点，英特尔可能仍打算在其中使用 High-NA EUV，即使这一方案一开始并不可行。

与此同时，三星晶圆厂和台积电计划于 2025 年底开始在其 2 纳米级节点（SF2、N2）上生产芯片。不过，High-NA 机器在它们的计划中究竟占多大比重仍然不为人所知。