美光公司在本周的财报电话会议上表示，该公司正在提供基于单片芯片的 128 GB DDR5 内存模块样品。这些模块基于该公司今年夏天早些时候发布的单片 32 Gb DDR5 内存设备，最终将为服务器 1 TB 内存模块打开大门。

美光总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra 说："我们推出了基于单片芯片的 128 GB 模块，从而扩展了我们的大容量 D5 DRAM 模块产品组合，我们已经开始向客户交付样品，以帮助支持他们的人工智能应用需求。我们预计该产品将在 2024 年第二季度实现营收。"

美光的单片 32 Gb DDR5 芯片是在该公司的 1β（1-beta）制造工艺上制造的，这是最后一个生产节点，完全依赖于使用深紫外（DUV）光刻技术的多图案化，而不使用极紫外（EUV）光刻工具。目前，我们对美光 32 Gb DDR5 集成电路的了解仅此而已：该公司没有透露其最高速度，但我们可以预计，与两个在相同电压和数据传输速率下工作的 16 Gb DDR5 集成电路相比，其功耗将有所下降。

美光公司新推出的 32 Gb 内存芯片为只用 8 个独立内存芯片就能为个人电脑制造出标准的 32 GB 模块，以及用 32 个这样的集成电路制造出面向服务器的 128 GB 模块铺平了道路。此外，这些芯片使生产 1 TB 容量的内存模块成为可能，而这在今天看来是无法实现的。这些 1 TB 的模块现在看来可能过大，但它们有利于人工智能、大数据和服务器数据库等领域。此类模块可使服务器每个插槽支持高达 12 TB 的 DDR5 内存（在 12 通道内存子系统的情况下）。

谈到 DDR5 内存的总体情况，值得注意的是，该公司预计其 DDR5 的位产量将在 2024 年初超过 DDR4，在行业中处于领先地位。

Mehrotra说："美光在业界向D5过渡的过程中也占据了有利地位。我们预计美光 D5 的产量将在 2024 年初超过 D4，领先于业界。"