三星电子（Samsung Electronics）宣布计划在 2025 年前量产 HBM4 内存，以实现制造服务的多样化，满足行业需求。三星电子 DRAM 产品和技术团队主管 Sang Joon Hwang 在三星新闻室的一篇博文中透露了这一进展，声称该公司计划提升其内存部门的地位。以下是这位主管透露的三星过去在 HBM 领域的发展情况：

三星量产了 HBM2E 和 HBM3，并开发了每秒 9.8 千兆比特（Gbps）的 HBM3E，我们将很快开始向客户提供样品，以丰富 HPC/AI 生态系统。

展望未来，HBM4 预计将于 2025 年推出，目前正在开发针对高热性能进行优化的技术，如非导电膜（NCF）组装和混合铜键合（HCB）。

帖子中提供的信息显示，三星已经获得了潜在客户对其 HBM3 内存工艺的兴趣，其中英伟达（NVIDIA）等公司处于领先地位。随着人工智能（genAI）的发展，对相关硬件的要求达到了新的高度，因此对 HBM3 等必要组件的需求也迅速增加。

英伟达正试图实现供应链的多元化，而三星电子在这方面就派上了用场，因为该公司拥有充足的设备来满足人工智能加速器对 DRAM 的需求。

除了当前一代的进展，三星还计划快速推进下一代 HBM4 工艺，预计将于 2025 年亮相。虽然有关内存类型的具体细节不多，但三星透露，HBM4 将采用"非导电薄膜"和"混合铜键合"，这将有助于提高内存工艺的能效和散热性能。HBM4 的确将标志着向下一代人工智能加速器的过渡，为业界的计算能力打开新的大门。

三星正在成为一家"与众不同"的供应商，尤其是该公司还在专注于开发芯片封装设备。鉴于该公司成功地赢得了潜在客户的信任，我们有可能看到这家韩国巨头的存储器部门在未来几年重振雄风。