8月份，SK海力士全球首家宣布了321层堆叠的NAND闪存，首次突破300层，但是要到2025年上半年才会量产。一直处于存储一哥位置的三星坐不住了，因为原本规划2024年量产的第9代V-NAND闪存只有280层左右，2025-2026年的第10代则突破到430层以上。

被反超显然是三星不能忍的。三星电子存储业务总裁李荣培(Jung-bae Lee)最新披露，第9代V-NAND进展顺利，将在明年初量产，基于双堆栈架构，达成业界最高堆叠层数。

Jung-Bae Lee 指出： "在即将到来的 10 纳米以下 DRAM 和 1,000 层垂直 V-NAND 时代，新的结构和材料创新至关重要。因此，我们正在为 DRAM 开发三维堆叠结构和新材料，同时为 V-NAND 增加层数、降低高度并最大限度地减少单元干扰。计划于 2024 年推出的第 9 款 V-NAND 将采用 11 纳米级的 DRAM。此外，博文还重申了对CXL内存模块（CMM）的承诺，CMM将支持下一代系统的可组合基础设施，特别是采用V-NAND的大容量固态硬盘。"

他没有披露具体的层数，但此前就有说法称，会提高到300层以上，能不能超过SK海力士的321层不好说，但至少在近期是新高。显然，三星给第9代闪存加码了。