新华社报道，与中芯国际以及美国微芯科技公司有合作关系的中科院上海微系统及信息技术研究所，最近宣布成功开发出了基于中国自主知识产权 技术的相变随机存取内存技术(PCRAM)。这款存储密度为8Mbit的PCRAM产品定于今年晚些时候投放量产，产品推出的目的是用于取代移动设备及 RFID射频识别卡中使用的NOR闪存。尽管这款PCRAM从存储密度参数上看相比闪存解决方案并不是很突出，但新华社称这款产品的推出对打破存储芯片的制造权完全控制在国外厂商手上的局面具备非常意义，同时这款产品还应用到了自主研发的近200项专利。

这款PCRAM产品是由中科院上海微系统与信息技术研究所与中芯国际及美国微芯公司联合制造生产，不过新华社并没有就这款芯片的尺寸或所采用的制程技术方面做详细报道，也没有就这款产品具体何时有计划量产这款产品，有无提升芯片存储密度的计划等进行报道。

与NOR/NAND闪存类似，PCRAM相变内存也属于非易失性存储技术，同时还具备省电的优点。相变内存的工作原理，一般是利用由硫化玻璃材料制成的薄膜在通电发热的条件下，材料的内部结构产生由非晶结构向晶体结构转变（即相变），导致薄膜材料电阻值发生变化的现象。尽管PCRAM技术从理论上讲相比传统的DRAM/闪存存在许多优势，但目前为止这项技术仍未能进入主流范畴。

镁光与三星两家公司是目前市场上在PCRAM技术方面较为领先的两家公司，其中三星已经开发出了一款512Mbit密度，60-65nm制程的PCRAM芯片，目前这款产品已经在三星自己的手机中应用上。镁光方面，则是通过收购Numonyx而得到了这家公司开发出的128Mbit密度90nm制程PCRAM技术，不过Numonyx目前还在研制存储密度为1Gbit的45nm制程PCRAM芯片产品。

目前我们只知道中科院上海微系统及信息技术研究所研制的这款PCRAM芯片是采用200mm尺寸晶圆制作而成的，不过其制程等级以及这款芯片是否同样基于硫化玻璃材料技术则没有详细报道。

新华社还宣称要力争在10年内让60%的大陆本地用户都用上国产的存储芯片产品。

CNBeta编译
原文：eetimes