据Sematech组织表示，该研究小组目前的工作重点是如何减小和消除22nm及以下级别制程中光刻图像的线边缘粗糙度（LER），开发解析度更高的光阻胶材料，以及测试适合用于EUV光刻的光阻胶成像材料。
CNBeta编译
原文：fabtech
富士胶卷宣布加入Sematech EUV光阻胶技术研发团队
发布日期:2011-05-20 06:54:35
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光阻胶厂商富士胶卷公司最近宣布加入SEMATECH组织的光阻胶技术研发团队，他们将在该组织设在奥尔巴尼大学纳米科学与工程学院（CNSE）的光阻胶材料及研发中心（RMDC）与其它组织成员一起为EUV光刻用关键光阻胶技术进行攻关。
参加该研发团队后,富士胶卷公司将可使用安装在Sematech RMDC中心的两台EUV微视场曝光工具（MET:专用于EUV技术研究试验的早期机型，曝光视场尺寸仅为600umx200um，故称微视场曝光工具）以及中心配备的多种量测工具。
据Sematech组织表示，该研究小组目前的工作重点是如何减小和消除22nm及以下级别制程中光刻图像的线边缘粗糙度（LER），开发解析度更高的光阻胶材料，以及测试适合用于EUV光刻的光阻胶成像材料。
CNBeta编译
原文：fabtech
据Sematech组织表示，该研究小组目前的工作重点是如何减小和消除22nm及以下级别制程中光刻图像的线边缘粗糙度（LER），开发解析度更高的光阻胶材料，以及测试适合用于EUV光刻的光阻胶成像材料。
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