美光科技（Micron Technology）今天宣布推出具有业界最高位密度的下一代 GDDR7 显存样品。利用 1β（1-beta）DRAM 技术和创新架构，Micron GDDR7 在电源优化设计中提供 32 Gb/s 的高性能内存。

GDDR7 内存的系统带宽超过 1.5 TB/s，比 GDDR6 高出 60%，并有四个独立通道可优化工作负载，因此可实现更快的响应时间、更流畅的游戏体验和更短的处理时间。

与 GDDR6 相比，GDDR7 还提高了 50% 以上的能效，从而改善了散热性能并延长了电池寿命，而新的睡眠模式可将待机功耗降低 70%。美光 GDDR7 先进的可靠性、可用性和可维护性（RAS）功能增强了设备的可靠性和数据完整性，而不会影响性能，从而将应用范围扩大到人工智能、游戏和高性能计算工作负载。

美光 GDDR7 内存吞吐量最高可提高 33%，响应时间最多可缩短 20%，适用于文本到图像创建等生成型人工智能工作负载。

美光预计，与当前的 GDDR6 和 GDDR6X 相比，在 1080p、1440 和 4K 分辨率下，采用 GDDR7 的显卡在光线追踪和光栅化方面的每秒帧数 (FPS) 将提高 30% 以上。GDDR7 的加入完善了美光业界领先的产品组合，适用于具有 DDR、LPDDR 和 GDDR 内存选项的 CPU、NPU 和 GPU 组件上的边缘人工智能推理应用。对于游戏应用，下一代内存通过性能和帧缓冲区扩展，实现了可适应场景、玩家和故事情节的人工智能增强型游戏。

五年多来，美光成功地大批量生产了 GDDR6X，始终保持着世界一流的性能和质量。这些相同的特性以及成熟的技术、设计和测试经验将有助于加快 GDDR7 的采用，并为该产品的量产提供全方位的支持。

Micron 在 GDDR6X 上推出了 PAM4 信号，其性能比 GDDR6 提高了 20% 以上，处于领先地位。PAM4 的成功为 Micron 通过 PAM3 继续保持 GDDR7 产品组合的领先地位奠定了基础。工程技术的进步，例如测量出业界首个 40 Gb/s PAM3 性能，为未来 GDDR7 产品实现更高性能铺平了道路。

GDDR7 内存将于 2024 年下半年由美光直接提供，并通过特定的全球渠道分销商和经销商销售。