日本尔必达，台湾力成，台湾联电三家公司近日宣布联合开发基于28nm等级别制程的3DIC芯片堆叠技术。三家公司表示，这次合作的重点项目将是基于穿硅互联技术（TSV）的逻辑+存储芯片组合型产品。联电与力成的工程师们已经开始在尔必达广岛芯片厂从事TSV产品的联合开发。三家公司表示这次合作将充分利用尔必达在内存芯片方面的技术优势，联电公司在逻辑芯片制造方面的技术优势以及力成公司在封装技术方面的技术优势，以更好地开发逻辑，存储功能整合型产品。

这次合作的内容包括逻辑芯片至存储芯片的接口电路设计，TSV穿硅互联结构的设计，超薄晶圆衬底设计，根据客户需求对堆叠芯片进行封装的技术以及3DIC测试技术等。

三家公司并没有宣布这次合作研制成的产品将以何种形式投放市场。预计联合开发出的技术将可减少三家公司的产品生产成本，改善芯片的良率，并增加公司产品在3DIC市场的市占率。

值得注意的是，合作内容中“根据客户需求对堆叠芯片进行封装”一项暗示这次联合研发的产品有可能会通过联电的代工服务走向市场。

CNBeta编译
原文：eetimes