英飞凌科技公司（Infineon Technologies AG）继宣布推出全球首块 300 毫米氮化镓（GaN）功率晶圆和在马来西亚库林（Kulim）建成全球最大的 200 毫米碳化硅（SiC）功率晶圆厂之后，又揭开了半导体制造技术的新篇章。 其在处理和加工有史以来最薄的硅功率晶圆方面取得了突破性进展，这种晶圆的厚度仅为 20微米，直径为 300 毫米。

英飞凌科技公司首席执行官约亨-哈内贝克（Jochen Hanebeck）说："世界上最薄的硅晶片证明了我们致力于通过推动功率半导体技术的发展，为客户提供卓越的价值。英飞凌在超薄晶圆技术方面的突破标志着我们在高能效电源解决方案领域迈出了重要一步，有助于我们充分利用全球去碳化和数字化趋势的全部潜力。 通过这一技术杰作，我们掌握了所有三种相关半导体材料，从而巩固了我们作为行业创新领导者的地位。这项创新将大大有助于提高人工智能数据中心以及消费、电机控制和计算应用的电源转换解决方案的能效、功率密度和可靠性。 与基于传统硅晶片的解决方案相比，晶片厚度减半可将晶片的基板电阻降低 50%，从而将电源系统中的功率损耗降低 15% 以上。 对于高端人工智能服务器应用而言，更高的电流水平驱动着日益增长的能源需求，这一点在电源转换中尤为重要。"

"新的超薄晶圆技术推动了我们以最节能的方式为从网格到核心的不同人工智能服务器配置供电的雄心壮志，"英飞凌电源与传感器系统事业部总裁 Adam White 表示。"随着人工智能数据中心的能源需求大幅上升，能效变得越来越重要。 对于英飞凌来说，这是一个快速增长的商机。 凭借中两位数的增长率，我们预计人工智能业务将在未来两年内达到 10 亿欧元的规模。"

为了克服将晶圆厚度降低到 20 微米的技术障碍，英飞凌的工程师们必须建立一种创新而独特的晶圆研磨方法，因为将芯片固定在晶圆上的金属叠层厚度超过 20 微米。 这极大地影响了薄晶圆背面的处理和加工。 此外，与技术和生产相关的挑战，如晶圆弓形和晶圆分离，对确保晶圆稳定性和一流坚固性的后端装配工艺也有重大影响。 20 微米薄晶圆工艺以英飞凌现有的制造技术为基础，确保新技术能够无缝集成到现有的大批量 Si 生产线中，而不会产生额外的制造复杂性，从而保证尽可能高的产量和供应安全性。

英飞凌的集成智能功率级（DC-DC 转换器）已通过鉴定并应用了该技术，并已交付给首批客户。 作为与 20 微米晶圆技术相关的强大专利组合的持有者，该技术彰显了英飞凌在半导体制造领域的创新领导地位。 随着目前超薄晶圆技术的加速发展，英飞凌预计在未来三到四年内，低压电源转换器将取代现有的传统晶圆技术。

英飞凌将于11月12日至15日在慕尼黑举办的electronica 2024展会（C3展厅，502展台）上公开展示首款超薄硅晶片。