据韩国媒体报道，三星电子正加速布局下一代DRAM技术，在第六代DRAM尚未量产之际，已着手建立第七代（1d）DRAM的测试线。报道称，三星已在平泽P2厂建置10纳米级的第七代DRAM测试线，并预计明年第一季度完全建成，以提高良率并拉开与竞争对手的技术差距。

这条被称为“单路径线”的测试线，将用于测试新半导体产品的量产潜力，一旦下一代芯片性能在研发阶段确定，就会在此引进晶圆，开始提高量产良率。

目前尚不确定平泽10纳米级第七代DRAM厂房的规模，但通常安装测试线每月可处理约1万片晶圆。

三星计划在2026年前量产第七代DRAM，而其前身第六代（1c）DRAM计划明年（2025年）量产，因此，第七代测试线与第六代DRAM量产的准备工作同步进行。

业界认为，三星在第六代DRAM还未进入量产阶段前就为第七代建置厂房，是为了明年重夺优势的起步年所进行的投资。

三星HBM市场被第二大公司SK海力士夺走，10纳米级第六代内存的开发速度也落后于对手，为了夺回领导地位，三星必须加快产品开发速度。