尔必达从2004年开始从事TSV技术的研发，并获得了日本政府发起的新能源与产业技术开发组织(NEDO)的资助。2009年，尔必达成功开发了业内第一款TSV DRAM芯片，使用八颗1Gb DDR3 SDRAM堆叠封装而来。

尔必达此番推出的样品是一种低功耗的8Gb DDR3 SDRAM内存颗粒，使用TSV技术将四颗2Gb DDR3 SDRAM封装在一块芯片内而来，1.5V电压下频率可达1600MHz，1.35V低电压下则是1066/1333MHz。

尔必达称，这种新型颗粒用在SO-DIMM笔记本内存条上，能够降低20％的读写功耗和50％的待机功耗，而且还非常环保。

对于一条2GB容量的笔记本内存来说，使用传统颗粒需要八颗芯片，换上TSV工艺的则仅需两颗，芯片所占空间会因此大幅减少70％，自然有利于打造更轻薄的笔记本、平板机产品。