Lam Research Corporation 今天宣布，其创新的干光刻胶技术已获得纳米电子和数字技术领域领先的研究和创新中心 imec 的认证，可直接印刷 2 纳米及以下的 28 纳米间距线路后端 (BEOL) 逻辑。

干光刻胶是Lam公司推出的一种先进的图案技术，它提高了极紫外（EUV）光刻技术的分辨率、生产率和产量，而极紫外（EUV）光刻技术是用于生产下一代半导体器件的关键技术。 "

随着芯片制造商向先进技术节点迈进，晶体管特征和间距尺寸不断变小。 雄心勃勃的下一代设备路线图需要直接印刷 28 nm 间距 BEOL 以实现扩展。 

在 imec，Lam 的 28 nm 间距干光刻胶工艺与低 NA EUV 扫描仪配对，并可扩展到高 NA EUV 扫描仪。 它们提高了极紫外光灵敏度和每个晶圆通道的分辨率，从而改善了成本、性能和产量。 此外，干光刻胶与现有的湿化学光刻胶工艺相比，能耗更低，原材料用量减少五到十倍，因此具有重要的可持续发展优势。

 imec 工艺技术副总裁 Steven Scheer 表示："通过联合研发，imec 成为了设备制造商的中立合作伙伴，展示新材料和设备的可行性，支持工艺开发，并为集成设备制造商和代工厂提供早期使用创新工艺的机会，从而加速他们的制造路线图。 Lam 的干光刻胶以具有竞争力的剂量实现了出色的缺陷率和保真度。"