三星的目标是到 2030 年凭借其新型"多BV"NAND 设计制造出 1000 层 NAND。 The Bell 报道称，该计划涉及堆叠四个晶圆以克服结构限制。 晶圆键合技术在这一进展中起着至关重要的作用，三星打算利用它来突破 1000 层大关。

三星电子 DS 部门首席技术官 Song Jae-hyuk 指出，晶圆键合技术允许在将外围晶圆和单元晶圆连接成一个半导体之前分别进行生产。 这种技术可能会首先出现在三星的第 10 代 NAND（V10）中，而业内专家认为，如果只采用单元结构，一个晶圆可以容纳大约 500 层 NAND。 过去，三星一直使用 COP（Cell on Peripheral）技术，这种方法是将外围电路放在一个晶圆上，NAND 单元堆叠在上面。

三星的计划包括与中国的长江存储合作，该公司将为 V10 NAND 提供混合键合专利。

ZDNet报道称，这家韩国科技公司将于 2025 年下半年开始大量生产 V10 NAND，层数约为 420-430 层。 除了晶圆键合外，三星还在其 NAND 计划中增加了其他技术。 使用钼的冷蚀刻技术和其他新思路将从 400 层 NAND 开始，并在发展到 1000 层的过程中发挥关键作用。 

尝试生产超高层 NAND 产品的不止三星一家。 日本的 Kioxia 公司也希望通过其"多层 CBA"（CMOS 粘合阵列）技术实现这一目标。 该公司的计划更加大胆，希望到 2027 年销售 1000 层3D NAND。