Ferroelectric Memory Co. (FMC) 和 Neumonda 已建立合作伙伴关系，寄希望于将“DRAM+”商业化，这是一种将 DRAM 的速度与非易失性数据保留相结合的铁电 (FeRAM) 内存架构。

该技术用铁电氧化铪 (HfO₂) 元件替代传统电容器，可在无需电源的情况下实现持久存储，同时保持纳秒级的访问时间。这种混合技术解决了高速 DRAM 与 NAND 闪存等存储级内存之间的性能差距。

与英飞凌和奇梦达之前在欧洲开展的 DRAM 合资企业未能满足商品内存经济性要求不同，FMC 瞄准的是重视持久性和能效的专业应用。基于 HfO₂ 的方法解决了之前使用锆钛酸铅 (PZT) 的 FeRAM 内存实现的局限性，这些内存无法扩展到兆字节以上的容量。

现在，原型展示了千兆位范围的密度，与美光、三星、SK 海力士等公司制造的传统 DRAM 的 10 纳米以下制造工艺兼容。通过消除刷新周期，DRAM+ 与传统的单晶体管/单电容器 DRAM 单元相比，可大幅降低静态功耗。主要应用包括需要持久模型权重的 AI 加速器、具有即时启动要求的汽车 ECU 以及功率受限的医疗植入物。

Neumonda 将贡献其测试平台套件 Rhinoe、Octopus 和 Raptor，用于电气特性和分析，其资本成本低于标准半导体测试设备。目前尚未公布商用 DRAM+ 产品的生产时间表。