英特尔的 18A 节点不仅关乎良率和密度（这仍然是非常重要的因素），还关乎性能。据台湾媒体 3C News 援引 TechInsights 的研究和计算，节点性能的新领导者是英特尔 18A。在 TechInsights 使用的自定义评分标准中，英特尔 18A 的性能得分为 2.53，而台积电 N2 的性能得分为 2.27，三星 SF2 的性能得分为 2.19。

这意味着同为两个纳米级节点中，英特尔处于领先地位。作为第一个具有背面供电网络 (BSPDN) 的节点，它将在2025 年末出现在 Panther Lake CPU 中进行测试，并在 2026 年初出货。这种新的电源架构将布局效率和组件利用率提高 5-10%，降低互连电阻，并将 ISO 电源性能提高高达 4%，这要归功于与传统前端电源布线相比固有电阻的显着下降。

与其前身英特尔 3 相比，18A 工艺每瓦性能提升了 15%，并在相同面积内封装了 30% 以上的晶体管。该工艺采用 RibbonFET 设计，已进入风险生产阶段。英特尔表示：“这最后阶段是对量产进行压力测试，然后在 2025 年下半年实现大批量生产。”

 至于SRAM 密度等其他方面，高性能 SRAM 单元从英特尔 3 的 0.03 微米² 缩小到英特尔® 18A 的 0.023 微米²，而高密度单元缩小到 0.021 微米²，分别反映了 0.77 和 0.88 的缩放系数，打破了之前 SRAM 缩放已达到稳定水平的假设。英特尔创新的“环绕阵列”PowerVia 方法通过将电源通孔布线到 I/O、控制和解码器电路来解决电压降和干扰问题，从而将位单元区域从正面电源中解放出来。最终实现了 38.1 Mbit/mm² 的宏位密度，使英特尔能够与台积电的 N2 相媲美。所有这些，加上 BSPDN，英特尔正在构建一个强大的节点。这让外界对未来 18A 工艺充满了期待。