截至2025年，绝大多数关于高带宽存储器 (HBM) 的新消息都涉及或暗示了新一代SK海力士和美光的产品。正如三星电子近期发布的第一季度财报中所述，该公司的工程师仍在研发“即将推出的增强型HBM3E产品”。上个月底，三星的一家邻居/主要竞争对手公开展示了其突破性的HBM4存储器解决方案，表明其在市场开发方面开始跟上领先的梯队。

三星已正式规划了面向未来的“第六代”HBM4技术路线图，但他们当前的重点似乎是针对性地扩大即将推出的“增强型HBM3E 12H”产品的销量。此前，该公司的存储器业务已在AI GPU/加速器市场领域将HBM3市场份额拱手让给了主要竞争对手。

业内人士认为，公司领导层将努力在2025年后重新夺回失去的市场份额。据韩国新闻媒体报道，三星内存部门副总裁金在俊（Kim Jae-joon）在最近与分析师举行的财报电话会议上表示，他的团队“已经与多家客户合作，开发基于HBM4和增强型HBM4E的定制版本”。预计该芯片将于2026年某个时候开始商业出货，这取决于今年下半年开始的量产。这位负责人告知听众，开发工作“正在按计划进行”。

三星HBM4的评估样品已经发送给NVIDIA、博通和Google。 三星将使用其代工部门自主研发的 4 纳米工艺，并采用 10 纳米第六代 1c DRAM，这被认为是市场上最高端的产品之一。理论上，(他们的) HBM4 解决方案将与 (SK 海力士的) 竞品相当。