据 TrendForce 援引 Sedaily 报道，三星在其先进内存技术方面取得了更佳的成果。该公司第六代 10 纳米 DRAM（称为 1c DRAM）的测试良率目前已达到 50% 至 70%，较去年不到 30% 的良率有了显著提升。

三星与其竞争对手走上了不同的道路。SK海力士和美光坚持使用 1b DRAM 技术生产 HBM4 产品，而三星则选择生产更新的 1c DRAM。这种选择风险更大，但也有可能带来更大的回报，因为生产率的提高使三星能够扩大其制造业务。该公司计划在其华城和平泽工厂提高 1c DRAM 的产量，预计扩产活动将于今年年底前开始。

这些进展也支持了三星的 HBM4 生产计划，因为该公司计划在今年晚些时候开始量产 HBM4 产品。然而，业内专家指出，该产品仍处于早期阶段，需要持续关注。

三星原计划于2024年底开始量产第六代10纳米DRAM。然而，该公司选择重新设计芯片。这一决定导致芯片生产延迟了一年多，但其目的是为了实现更高的性能和良率。新的DRAM产品将在三星平泽4号线工厂生产，因为这些芯片将同时用于移动和服务器应用。此外，HBM4相关的生产将在平泽3号线工厂进行。