三星于今年3月安装了首台高数值孔径（High-NA）EUV（极紫外光刻）设备，用于1.4纳米芯片的生产，并有望通过减免关税来更好地与台积电（TSMC）竞争。三星在开发并最终量产2纳米以下晶圆时，从ASML采购高NA EUV设备是一项昂贵的投资，每台设备约需4亿美元，但为了与半导体业最大的对手——台积电竞争，这一风险三星不得不承担。

为帮助三星顺利转型，韩国政府据称将计划取消进口相关设备的关税。同时，三星也已经行动，于3月为1.4纳米产线安装了高NA EUV设备。

为了加速2纳米GAA芯片的生产，早前有报道称三星已经为高NA EUV设备下了更多订单。尽管此前有传言称三星取消了1.4纳米制程的开发，但公司似乎已经克服了2纳米GAA节点的良率问题，其Exynos 2600芯片有望在今年晚些时候投入量产。三星一旦证明其新一代制程能达到与台积电2纳米架构相同的性能并能高效量产，他们将进入下一阶段，开始接受客户订单。

为实现这一目标，韩国经济新闻报道称，韩国政府将把相关进口货物的关税降至零以提升竞争力。考虑到高NA EUV设备单价高达4亿美元，即使没有关税也已十分昂贵，三星若想在技术实力上与台积电比肩，整体成本必须降低。

目前用于1.4纳米生产的这台EUV设备，是三星今年早些时候从ASML采购的EXE:5000，并已安装于华城工厂。尽管三星目前重心在2纳米产线上，但报道指出，公司计划到2027年开始1.4纳米芯片大规模量产，争取在未来一年实现对台积电的领先。