在花旗银行2025年全球TMT大会上，英特尔首席财务官David Zinsner就公司下一代14A工艺节点的经济性发表讲话。据Zinsner介绍，14A节点的成本将高于18A。虽然在投资规模上提升幅度不大，但晶圆制造的单位成本显著增加，主要原因在于14A节点将采用高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻设备——而18A节点尚未使用这一技术。

高数值孔径EUV设备如Twinscan EXE:5200B，每台售价高达3.8亿美元。英特尔需要相应提高晶圆售价以实现收支平衡，特别是如果14A节点计划对外部客户开放的话。

英特尔称，14A节点将带来重大能效提升，其每瓦性能将比18A高约15-20%，功耗则降低25-35%。技术演进方面，14A结合了包括RibbonFET 2在内的多项工艺革新，该架构升级了全环绕栅极晶体管；PowerDirect则将电源网络转到芯片背面，使供电更直接。此外，14A还引入了“Turbo Cells”涡轮单元，这些更高的高驱动单元被布置在紧凑的标准单元库中，有助于缩短关键时序路径，在不大幅增加面积和功耗的情况下提升CPU和GPU的频率。

与此不同，18A节点未来的扩展将更依赖高级光刻工具提升分辨率，从而减少对多重图案化的依赖。