三星正准备对其存储芯片生产战略进行重大调整。由于全球 AI 基础设施的迅速发展，DRAM 的需求持续激增。韩国业界消息人士（引自 SE Daily）透露，三星计划将其位于平泽和华城的部分 NAND 闪存生产线转为 DRAM 制造；即将投产的平泽 Fab 4 工厂也将作为专用 DRAM 生产线，采用三星最新的 1c 制程工艺。

消息称，三星对 NAND 市场已经变得更加谨慎，而标准 DRAM 芯片的市场需求则出现了大幅跃升。当前，DRAM 价格正在迅速上涨，一些服务器客户愿意为 96GB 和 128GB DDR5 内存模块支付高达 70% 的溢价，但依然难以保证供应。大型科技公司预计内存短缺将持续数年，并已开始为 2027 年的 DRAM 配额展开协商。

目前，三星在平泽 Fab 1、Fab 3 及华城园区均生产 DRAM 和 NAND。未来，Fab 1 和华城的混合生产线将进一步向 DRAM 转型，相关 NAND 生产设备将被拆除。Fab 4 工厂正在收尾建设，明年将作为专用 1c DRAM 线投产，并有可能将 Fab 4 内另一原计划用于代工生产的区域，也转为 DRAM 产品线。一旦调整完成，明年上半年，三星来自华城 Fab 1 和平泽 Fab 4 的 DRAM 产量将显著提升。与此同时，韩国地区 NAND 产能的减少预计将通过三星位于中国西安的工厂来补足。