随着欧洲持续推进半导体制造的自主化进程，继欧盟委员会通过《芯片法案2.0》（Chips Act 2.0）仅一周后，半导体领域便传出重磅消息：总部位于德国柏林的初创公司NexiGO成功完成了200万欧元的种子轮融资。此次融资旨在通过研发氧化镓（Ga₂O₃）功率半导体，为新一代电动汽车提供核心技术支持，加速欧洲能源电子产业的转型。

在当前能源转型背景下，充电效率已成为制约电动汽车发展的瓶颈。NexiGO致力于通过氧化镓技术攻克这一难题，其目标是将电动汽车的充电时间从目前碳化硅（SiC）或氮化镓（GaN）技术平均所需的60分钟，大幅缩短至10分钟以内。

据了解，NexiGO将采用4英寸外延晶圆生产氧化镓半导体。尽管这一尺寸仅为传统逻辑与存储芯片所用12英寸晶圆的三分之一，但公司评估认为，该规模足以满足欧洲本土电力传输的需求。在电力基础设施领域，充电站等设备需要能够处理大规模电流冲击且保持极低损耗的超宽禁带半导体。氧化镓拥有约4.8电子伏特（eV）的禁带宽度，使其在处理高电压时具备显著优势，能有效降低能源传输过程中的损耗。

对比目前主流的碳化硅材料，氧化镓解决方案在性能上实现了质的飞跃：其能源效率提升了10倍，电压密度承受能力提高了6倍，且生产成本仅为前者的四分之一。除了电动汽车充电桩，NexiGO还将目光投向了可再生能源逆变器、AI数据中心以及导弹追踪系统等高性能应用场景。作为首批响应欧盟构建自主技术基础设施需求的功率半导体制造商之一，NexiGO此次获得的融资无疑为其后续的技术研发与产业化落地注入了关键动力。