在完成备受瞩目的3万亿人民币级别的首次公开募股（IPO）并引发资本市场狂热之后，中国半导体龙头企业长鑫存储（CXMT）再次迎来重大利好。据最新消息，长鑫存储已成功列入首批国产深紫外（DUV）光刻机的交付名单，预计将于今年8月起接收设备，此举将极大提振其下一代芯片的技术布局。

总部位于上海的半导体设备企业“上海宇量昇科技”已正式跨入DUV光刻机制造领域。该公司计划今年内生产5台DUV设备，并于明年将产能扩大至20台。作为国家半导体战略的核心参与者，长鑫存储将与中芯国际（SMIC）、华虹半导体（Hua Hong）等行业巨头一同，优先获得首批设备的交付。

虽然相关技术细节尚未完全公开，但据悉宇量昇目前主攻28纳米浸没式光刻机的制造。尽管关键部件中仍有极少数依赖日本进口，但大部分核心构件已实现自主国产化。这一突破被认为能有效应对美国《MATCH法案》等旨在限制中国企业购买和维护西方DUV设备的制裁手段。

深紫外（DUV）光刻技术利用波长为193纳米的氟化氩（ArF）激光在硅片上蚀刻电路图样。通过结合设计与工艺协同优化（DTCO）以及多重曝光技术，芯片制造厂商能够在没有极紫外（EUV）光刻机的情况下，大幅降低工艺偏差并提升晶圆良率，从而逼近更先进制程的技术指标。

得益于资本市场的强劲支持，长鑫存储在上市首日股价飙升近500%。公司计划利用筹集到的巨额资金迅速扩大产能，目标是在今年年底前将月产能由现阶段的20万片大幅提升至30万片。此外，长鑫存储位于上海和合肥的两座新晶圆厂也在紧锣密鼓地建设中，远期总产能将冲刺每月60万片，并有望在2030年前在总产量上超越美光（Micron）。

在先进制程受阻的背景下，长鑫存储将研发重心转移至3D DRAM技术，即通过垂直堆叠内存单元来提升芯片容量，而非单纯依赖EUV设备进行水平维度的极限微缩。目前，长鑫存储正基于G5制程节点量产1a DRAM，并已开发出具有自主知识产权的3D DRAM单元结构，包括结合水平电容与位线的垂直全环绕栅极（GAA）字线设计，显著降低了行暴打（Row-hammer）干扰现象。此外，公司还与高通（Qualcomm）及兆易创新（GigaDevice）展开合作，开发定制化3D DRAM以支持智能手机端侧NPU计算；其位于合肥的试验线也正积极测试晶圆对晶圆（W2W）混合键合技术，将存储单元与控制逻辑电路分层制造后再行垂直融合，为未来高密度内存的量产铺平道路。