美光计划将高带宽内存（HBM）产能较去年扩大一倍。公司将在年底前推进激进的设备投资，强化新一代HBM——HBM4 12层产品的供货能力。此举意在补齐相较于三星电子、SK海力士的HBM产能短板，提升市场份额。

据3日业内消息，美光计划至今年年底，HBM产能（以晶圆为统计口径）最多每月新增6万片。美光去年HBM月产量维持在4‑5万片的水平，今年的净增量将超过去年的原有产能。

一位熟悉相关业务的业内人士表示：“美光正在开展大规模设备投资，快速提升HBM4产能。到今年年末，将实现月产约10万片的HBM产能规模。”

为达成上述产能目标，美光正向多家HBM制造设备厂商增加采购订单（PO）。据了解，美光的HBM生产基地目前设备正在持续进场。

预计HBM4 12层的产出占比将大幅提升。目前美光HBM产出绝大部分为HBM3E 12层。今年年初，HBM4 12层占整体产量的比重仅有20%‑30%，据悉到年底该占比最高将提升至50%。

HBM412层将搭载于全球头部AI芯片企业英伟达的Vera Rubin。美光已于今年第二季度启动HBM4 12层的量产工作。