三星克服了物理上的瓶颈，将在2012年上半年投入10nm级的NAND Flash量产。该制程将会制造容量64GB的MicroSD记忆卡。三星2010年以30nm 32GB NAND Flash制造Micro SD卡，2011年5月更首度量产以20nm级NAND Flash制造Class10 32GB MicroSD卡。近来高阶行动装置数量逐渐增加，对高容量的MicroSD卡片需求也日渐攀升，然而以20nm级NAND Flash制造容量达64GB的记忆卡较困难，研发10纳米级制程技术便成为紧急任务。

三星综合技术院研发的10nm级，不仅只是1项新的微缩制程，韩国业界认为，至20nm级制程为止，都能凭借着改善Cell结构、采用新物质、开发高效能 Cell与积层等达到微缩的目的；然而至10纳米级制程开始，制程微缩的技术已是不同的次元，且需要相当大规模的投资，这也是半导体业者不易转进10纳米级制程的因素。

另外，存储器大厂东芝和SanDisk 2011年上半年，便推出以19纳米制程技术制造的64GB快闪存储器实验产品，并表示计划2011年7月开始量产，然目前产品仍未正式上市。

三星速度，谁能与之争锋？