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韩国周三批准三星在华投建40亿美元闪存厂
发布日期:2012-01-04 09:24:14  稿源:
据国外媒体报道,周三,韩国政府宣布,已经批准三星电子在中国建设一座闪存芯片工厂。这家工厂计划投资40亿美元,是三星在海外的第二座芯片工厂。工厂将使用20纳米或以下半导体生产工艺,大规模的量产将会在在2013年启动,该工厂每月处理的晶圆个数将达到十万个。据报道,三星电子目前尚未确定工厂的选址。
http://s1.reutersmedia.net/resources/r/?m=02&d=20120103&t=2&i=554112571&w=460&fh=&fw=&ll=&pl=&r=BTRE8021U0O00

  根据韩国政府规定,本国企业要在海外设立高科技生产基地,必须向政府提交申请,以避免高端技术的外泄。韩国知识和经济部官员周三表示,三星电子将会成立一个委员会,专门防止中国工厂闪存芯片技术被泄露。

  三星是全世界最大的NAND闪存芯片制造商,占据了全球四成的市场份额。其竞争对手主要包括日本东芝、韩国海力士半导体,以及美国美光科技公司。

  根据IT研究机构Gartner公司的报告,今年,中国的NAND闪存消耗量将占到全球一半,金额达到290亿美元,到2015年,中国的消耗份额还将攀升到55%。

  随着华为科技、中兴通讯等中国企业逐渐提升在全球智能手机、平板电脑领域的市场份额,中国厂商对于NAND闪存的需求也出现了快速增长。

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