在上周日于加州San Jose召开的 LithoVision 2012技术会议上，Intel公司再次强调其仍将在10nm制程引入EUV光刻技术作为首选光刻技术升级方案,不过他们同时也表示公司并不排除其它的选项.
Intel正在制订另外一项备份计划.假如EUV届时仍然出现拖延,Intel表示会改变原计划,转而部署采用成本高而复杂的多重成像技术配合193nm液浸式光刻技术的方案.另外,Intel这次还点明公司会在今年年底前安装一条EUV试产产线,此前他们虽然曾经公布过这项计划,但那时并没有给出具体的部署时间点.

来自Intel公司位于俄勒冈州的波特兰技术研发集团的光刻技术负责人Sam Sivakumar,在谈到Intel在应用EUV和多重成像技术的状况时说:"目前我们两手都在抓.时机成熟时,我们会做决定的."

目前Intel仍然指望能够在其10nm工艺节点引入EUV光刻工艺,不过眼下EUV技术在光源功率,掩膜板系统以及其它技术方面仍存在问题。

Sivakumar说:"EUV前程远大"不过在光源功率方面"还有很长的路要走",而且其掩膜板系统的开发也"面临极大的挑战".

在会后接受记者采访时,他表示:"我们关注的焦点是将EUV投入量产使用,但是眼下有许多技术问题并不在我们自己的控制之下."

附带一提,本次LithoVision会议是由尼康公司赞助举办的,光刻界权威技术组织SPIE每年都会举办一次这样的高级光刻技术会议.

Intel光刻技术的未来发展计划:

在这次会议的演讲中,Sivakumar展示了Intel过去和未来几年的光刻技术发展历程和蓝图.Intel在32nm节点制程开始首度引入193nm液浸式光刻技术,用于生产32nm芯片的光键层,而当时尼康则是这些193nm液浸式光刻机的Intel独家供应商.

在22nm,intel开始推出finFET晶体管技术.目前Intel仍然在使用193nm液浸式光刻机生产22nm制程芯片的关键层,不过据外界报道,如今Intel已经在同时使用ASML和尼康两家的光刻机来制造这些关键层.

之后,在未来的14nm节点,Intel会继续在关键层的制造上使用193nm液浸式技术,不过据Sivakumar透露,Intel会在14nm节点启用一种细节内容尚未公布与众的双重成像技术(Intel称这种技术为“pitch-halving”-字面意义为”节距减半“)，他并称Intel 14nm制程技术预计会在2013年内成熟。

据消息来源称，与20nm时的情况一样，14nm节点时Intel将继续使用ASML和尼康生产的光刻机来制造芯片的关键层。尼康公司最近公布其新款NSR-S621D 193nm液浸式光刻机已经于今年1月份开始交付给某些芯片制造商使用。据有消息来源透露，尼康这次售出该机型的对象正是其最大的客户Intel，用途则是用作14nm制程产品的制作，不过Intel并未就此传言做任何评价。

Intel并没有计划在14nm节点制程启用EUV技术，不过为了做好准备，他们计划今年年底至明年间安装一条EUV试产产线，这条产线上将会安装ASML的NXE:3100 13.5nm波长EUV光刻机。

之后，在2015年的10nm节点，Intel会有两种计划。一种是使用EUV光刻来制作芯片关键层，不过目前还不清楚EUV届时能否投入10nm的量产使用.Sivakumar说：“眼下我们要就这方面给出详细的答案恐怕还没有多大的把握。”

目前Intel手上已经配备有ASML的NXE:3100光刻机，这台光刻机目前是研发实验室在使用。Intel同时也是ASML NXE:3300B型号的客户之一，3300B将是ASML首款量产型EUV光刻机。按此前的预计，今年下半年ASML将会将这款机型交付给尚未透露名称的几家客户。当被问及Intel对EUV技术明年之前投入使用有无把握时，得到的答案是：“这很难说，我们还要等等看。”

假如EUV技术届时未能准备就绪，那么第二个选项将是193nm液浸式光刻配合多重成像的组合，多重成像技术方面，选项包括双重成像，四重成像，互补式成像(complementary patterning)技术这三类，不过目前Intel还没有决定具体会采用哪一种组合。不过一般认为Intel会从后两种方案中二选一。

过去，芯片制造商的传统电路布局方式是二维式的，不过这种布局方式在芯片尺寸微缩等方面并不具备优势。因此，基于栅格化设计准则的一维电路布局方式开始为业者所重视。以Intel为例，他们在45nm节点便开始启用一维栅格化的布局方式，容易理解的是，采用这种布局设计方式会需要两个光刻步骤：即栅格化图像形成光刻和线切割光刻阶段。对20nm节点及更大尺寸制程而言，只要使用193nm液浸式光刻便可以处理这两个步骤。

到14nm，193nm液浸式光刻机则只能处理其中的栅格化图像形成部分。而线切割部分则业者面临三种选择：EUV光刻，电子束光刻或193nm液浸光刻（当然需要配合高成本且复杂的多重成像技术）来完成。

10nm节点制程的五掩膜板方案和双掩膜板方案：

对Intel而言，有一种可能是，他们可能会在10nm节点制程光刻中采用昂贵的“五掩膜板解决方案”。在10nm芯片光刻的栅格化光刻阶段，需要使用1块掩膜板配合193nm液浸式光刻机来进行光刻，在线切割阶段，其余的4块掩膜板则被用来配合193nm液浸式光刻机使用。不过另外一种成本更低的方案是所谓的双掩膜板方案，即首先用1块掩膜板配合193nm液浸式光刻机完成栅格化光刻，而线切割部分则由另一块掩膜板配合EUV光刻机来完成。

当然还有一种选择是使用多射束电子束工具来完成线切割阶段的工作，Sivakumar表示：“这也有可能，只要相关的光刻工具成熟适用，我们当然有可能会选用这种技术。”

CNBETA编译
原文：semimd.com