
此外,我们还看到美光的20nm闪存和驱动器芯片,不过由于美光和英特尔的20nm NAND是来自于同一条生产线,所以就SandForce就没有展出这第三个芯片模型。根据放在这些芯片旁边的说明来看,我们得知这些驱动器运行速度为 500MB/s,将以128KB的块进行读取和写入。同样,它们也将拥有60000的IOPS性能。当然,下一代NAND最大的好处还是 它的低价。毕竟模型越小,元件就更能够整合到一个单一晶片里。这款NAND预计在今年下半年与消费者见面。据SandForce透露,19nm和20nm 的NADA将会在较短的时间内就投入到各大商品的使用中。
