返回上一页  首页 | cnbeta报时: 00:26:16
[图]三星存储芯片率先进入10nm制程 更小更快更强
发布日期:2012-11-15 15:20:27  稿源：
早在今年8月份的时候三星就宣布量产ultra-fast eMMC存储芯片，目前这一芯片已经开始移植到最新一代的产品中来。根据三星的官方描述这个存储芯片已经从原有的20nm制程进入到10nm，并且新的 64GB eMMC Pro Class 2000 比前代产品在外观上小20%，性能和劳动生产效率方面比前代产品提升了30%。
Samsung's new 64GB mobile flash memory chips are smaller and faster, will establish a new standard

尽管最新的芯片依然采用JEDEC的eMMC 4.5接口标准，不过三星表示在明年的时候将迎来新的接口设计以提升产品的传输性能。

目前这款产品的写速度达到了2,000 IOPS（每秒的输入吞吐量）而读速度达到了5000 IOPS。而前代产品的读写速度仅为1500/3500 IOPS，同时在带宽方面读写也达到了260MB/s和50MB/s。
我们在FebBox(https://www.febbox.com/cnbeta) 开通了新的频道，更好阅读体验，更及时更新提醒，欢迎前来阅览和打赏。
查看网友评论   返回完整版观看
最新资讯
今日最热

返回上一页  首页 | cnbeta报时: 00:26:16

文字版  标准版  电脑端

© 2003-2025