TLC闪存每单元存储3bit数据，它更高的密度的代价是相对较低的写入速度和较差的耐久力，目前只有三星840系列固态硬盘使用这种技术。
不过镁光也并没有将其用在SSD上的打算，128Gb的NAND目前只会用于可移动存储市场，例如SD和USB闪存驱动器，这样可以进一步提升这些设备的容量。
预计美光将在下一季度开始量产这款芯片。
镁光发布尺寸小25%的128Gb NAND闪存
发布日期:2013-02-15 20:29:33
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闪存密度越来越高带来的是更大容量的设备，但是如果要做到更小尺寸怒，那非得减少闪存芯片的面积不可。镁光今天宣布推出全球最小的128Gb NAND闪存芯片，采用20纳米制程，TLC闪存技术，裸片面积只有146平方毫米，比目前的MLC芯片尺寸小25%。
TLC闪存每单元存储3bit数据，它更高的密度的代价是相对较低的写入速度和较差的耐久力，目前只有三星840系列固态硬盘使用这种技术。
不过镁光也并没有将其用在SSD上的打算，128Gb的NAND目前只会用于可移动存储市场，例如SD和USB闪存驱动器，这样可以进一步提升这些设备的容量。
预计美光将在下一季度开始量产这款芯片。
TLC闪存每单元存储3bit数据，它更高的密度的代价是相对较低的写入速度和较差的耐久力，目前只有三星840系列固态硬盘使用这种技术。
不过镁光也并没有将其用在SSD上的打算，128Gb的NAND目前只会用于可移动存储市场，例如SD和USB闪存驱动器，这样可以进一步提升这些设备的容量。
预计美光将在下一季度开始量产这款芯片。
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