英特尔表示,固态硬盘的功耗是普通硬盘的十分之一,但性能却可以达到普通硬盘的10倍,而在耐用性方面则会提升1000倍.相比普通硬盘,固态硬盘更容易携带,发热量也更小,这是打破硬盘传统存储技术的革命.
英特尔表示固态硬盘性能可提升10倍，而功耗仅为普通硬盘的十分之一
据悉，下一代NAND闪存的规格包括超过100万个写入周期，超过10年的保存时间。而且在该闪存上可以直接改写数据位，无需删除。
消息来源:ZOL
IDF:英特尔推固态硬盘 性能提升10倍
发布日期:2007-04-17 13:04:02
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今日,英特尔信息技术峰会(Intel Developer Forum,简称IDF)在北京国际会议中心召开.英特尔在论坛上向大家介绍了固态硬盘加速技术.
英特尔表示,固态硬盘的功耗是普通硬盘的十分之一,但性能却可以达到普通硬盘的10倍,而在耐用性方面则会提升1000倍.相比普通硬盘,固态硬盘更容易携带,发热量也更小,这是打破硬盘传统存储技术的革命.
英特尔表示固态硬盘性能可提升10倍，而功耗仅为普通硬盘的十分之一
英特尔表示,固态硬盘的功耗是普通硬盘的十分之一,但性能却可以达到普通硬盘的10倍,而在耐用性方面则会提升1000倍.相比普通硬盘,固态硬盘更容易携带,发热量也更小,这是打破硬盘传统存储技术的革命.
英特尔表示固态硬盘性能可提升10倍，而功耗仅为普通硬盘的十分之一
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