英特尔公司的技术总监拉特纳计划在“英特尔开发商论坛”(IDF)上首次公开演示其PRAM技术.PRAM是由英特尔和数家其它公司联合开发的一种非挥发性内存,被认为可能取代闪存,甚至是DRAM.与DRAM不同的是,在产品掉电前,闪存等非挥发性内存不会丢失存储的信息.但是,与DRAM相比,闪存读写数据的速度要慢得多,而且容量较小,制造成本也更高.在IDF前夕接受采访时,拉特纳说,我们认为相位变化是颇有前途的,我们将于今年下半年生产PRAM.与闪存相比,PRAM在数据读写速度和耐用性方面都有优势. 英特尔和其它公司都寄希望于PRAM能够取代NOR和NAND闪存,提高PRAM芯片的需求,降低其生产成本.闪存被广泛应用在手机和其它便携式产品中,但也能被应用在PC中.闪存还是英特尔Robson闪存缓冲技术的核心.PRAM的应用范围与闪存一样,英特尔正在调查PRAM的新用途,看它是否能够取代DRAM,它的性能似乎不弱于DRAM.即使证明PRAM能够取代DRAM,它也不会完全取代DRAM.
消息来源:CCW