韩国半导体巨头SK海力士26日宣布，公司已开发出超高速存储器（HBM）。这种超高速存储器的数据处理速度是目前性能最高的处理器速度的4倍，但是电力消耗量却减少了40%.

这种超高速存储器采用了硅通孔技术(TSV,Through -Silicon-Via)。这是是一种通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通,实现芯片之间互连的最新技术。是当今世界上速度最快的DRAM（GDDR5）速度的4倍多。

SK海力士表示，首先将把这种超高速存储器用于图形处理的半导体中，此后公司计划为超级计算机，网络，服务器等产品大量生产这一超高速存储器。

另一方面，三星电子在今年10月公布今年第三季度的业绩时，宣布其获得了硅通孔技术。分析人士预计，三星电子也会很快推出自己的超高速存储器。